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基礎(chǔ)信息Product information
產(chǎn)品名稱:

儲能新材料電學(xué)綜合測試/高低頻介電溫譜

產(chǎn)品型號:華測系列

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

所在地:北京市

更新日期:2024-11-12

產(chǎn)品簡介:

儲能新材料電學(xué)綜合測試/高低頻介電溫譜,可測電壓擊穿,可測電壓擊穿(介電場強),高低頻介電頻譜、溫譜,高溫絕緣電阻,熱釋電測試,TSDC熱刺激極化電流,充放電儲能密度測試,電聲脈沖法空間電荷測量,靜電電壓等。

產(chǎn)品特性Product characteristics
品牌華測

儲能新材料電學(xué)綜合測試/高低頻介電溫譜



隨著能源需求的不斷增加以及對環(huán)境友好能源的需求,新型能源儲能材料的研究成為了當前的熱門領(lǐng)域之一。在開發(fā)新一代的儲能新材料時,對其性能的測試與分析是至關(guān)重要的一環(huán),儲能新材料電學(xué)綜合測試系統(tǒng)可以通過各功能測試模塊,系統(tǒng)的幫組科研人員從能量密度、功率密度、循環(huán)壽命、安全性四個方面對新材料性能進行分析檢測,評估材料的性能指標,判斷是否符合應(yīng)用要求。


系統(tǒng)配置

儲能新材料電學(xué)綜合測試/高低頻介電溫譜


測試模塊

01.電壓擊穿(介電場強)

由能量密度可知,擊穿場強相對于介電常數(shù)對于材料能量密度的影響更為突出,獲得高能量密度對復(fù)合材料擊穿場強提出了更高的要求。

通過上位機系統(tǒng)控制高壓擊穿測試模塊,可以安全、便捷、準確的對測試樣品進行工頻下的交流、高壓直流擊穿試驗,測試出擊穿場強。甚至可以通過測試軟件設(shè)置直流輸出時間,以完成樣品的極化過程。

02.高低頻介電頻譜、溫譜

用于分析寬頻、高低溫環(huán)境下儲能新材料的阻抗Z、電抗X、導(dǎo)納Y、電導(dǎo)G、電納B、電感L、介電損耗D、品質(zhì)因數(shù)Q等物理量,同時還可以分析被測樣品隨溫度、頻率、時間、偏壓變化的曲線。

03.高溫絕緣電阻

高精度的電壓輸出與電流測量,即使在高低溫環(huán)境下可能很好的屏蔽背景電流,保障測試品質(zhì),適用與儲能新材料在不同環(huán)境溫度下絕緣性能的檢測。

04.熱釋電測試

不論是薄膜還是塊體形式的儲能材料,都可對其進行熱釋電性能測試。采用電流法進行測量,材料的熱釋電電流、熱釋電系數(shù)、剩余極化強度對溫度和時間的曲線。

05.TSDC熱刺激極化電流

熱刺激電流(TSC)是研究熱釋電材料中陷阱結(jié)構(gòu)和陷阱結(jié)構(gòu)所控制的空間電荷存貯及運輸特性的工具,同時也是研究熱點材料結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變和分子運動的重要手段。諸如:分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等,通過TSDC技術(shù)也可以直觀的研究材料的弛豫時間、活化能等相關(guān)介電特性、

06.充放電儲能密度測試

用于研究介電儲能材料高電壓放電性能,同目前常見的方法是通過電滯回線計算高壓下電介質(zhì)能量密度,測試時,樣品的電荷釋放至高壓源上,而非釋放至負載上,也就是說,通過電滯回線測得的能量密度會大與樣品實際釋放的能量密度,不能正確評估儲能材料的正常放電性能。華測充放電測試具有專門設(shè)計的電容放電電路來測量,首先將測試材料充電到給定電壓,之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān),將存儲在儲能材料中的能量釋放到電阻器負載中,更符合電介質(zhì)充放電原理。

07.電聲脈沖法空間電荷測量

空間電荷是指在材料特定區(qū)域內(nèi)電荷分布不均勻的現(xiàn)象。該現(xiàn)象是由于載流子的擴散和漂移運動所導(dǎo)致的,在材料的局部區(qū)域產(chǎn)生了電荷累積,從而使材料改變了原本的電中性狀態(tài)??臻g電荷的存在對材料的電學(xué)性能有著重要的影響,可能導(dǎo)致電場畸變、絕緣性能下降等問題。

電聲脈沖法(PEA)空間電荷測試可以便捷準確地測量固體儲能材料內(nèi)部空間電荷分布,電聲脈沖法可以測量較厚的介質(zhì),可以在帶電狀態(tài)下直接測量絕緣測試樣品中的空間電荷分布,最小可測空間電荷密度為4μC·cm-3,最小可測試樣厚度為0.2mm。

08.靜電電壓

靜電是一種處于靜止狀態(tài)的電荷,雖然其總電荷量不大,但其瞬間釋放所產(chǎn)生的高電壓與大電流非常容易對周邊電路、設(shè)備乃至人員造成損害。對儲能材料的靜電性能(包括面電荷密度與電阻)進行測試,可以對后期防靜電工程設(shè)計和改善儲能系統(tǒng)的抗靜電性能設(shè)計提供數(shù)據(jù)支持,對周圍電路的靜電敏感電子元器件選型提供參考依據(jù)。

配置模塊

功能

測試儀表

測試環(huán)境配件/夾具

電壓擊穿(介電場強)

高壓電源

變溫油浴槽

溫度范圍:RT~250℃(視絕緣介質(zhì)性能)

高低頻介電溫譜

阻抗分析儀

高低溫冷熱臺

溫度范圍:-185~600

高溫近紅外爐

溫度范圍:RT~1450

高低溫環(huán)境箱

溫度范圍:-185~450

高溫絕緣電阻測試

高阻計/源表

高低溫冷熱臺

溫度范圍:-185~600

高溫近紅外爐

溫度范圍:RT~1450

高低溫環(huán)境箱

溫度范圍:-185~450

熱釋電測試

高阻計/靜電計

高低溫冷熱臺

溫度范圍:-185~600

高低溫環(huán)境箱

溫度范圍:-185~450


TSDC熱刺激電流測試

高阻計/靜電計

高低溫冷熱臺

溫度范圍:-185~600

高低溫環(huán)境箱

溫度范圍:-185~450


充放電儲能密度測試

充放電測試模塊

變溫測試盒

溫度范圍:RT~250℃(視絕緣介質(zhì)性能)

靜電電壓

高阻計/靜電計

靜電變溫測試罐

溫度范圍:

空間電荷測試

示波器+高壓電源+功率放大器

電聲脈沖法空間電荷測試夾具

測試裝置

拓展資料

能量密度常用計算公式:


式中:Uc為電容器的充電能量密度;Ud為電容器的實際放電能量密度;E為外加電場;D為電位移;Dmax為最大電位移;Dr為剩余電位移;ε0為電介質(zhì)的真空介電常數(shù);εr為電介質(zhì)的相對介電常數(shù);Eb為擊穿場強;η為充放電效率。

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